肖特基接触：金属与半导体之间形成的一种接触界面，通常会产生肖特基势垒（Schottky barrier），使电流呈现明显的整流特性（常用于肖特基二极管、快速开关与射频器件）。在某些条件下也可表现为近似欧姆行为，但最常见用法指整流型金属-半导体接触。
/ˈʃɒtki ˈkɒntækt/（英式常见）
/ˈʃɑːtki ˈkɑːntækt/（美式常见）
A Schottky contact is formed between a metal and a semiconductor.
肖特基接触形成于金属与半导体之间。
Because the Schottky contact creates a potential barrier, the device shows rectifying behavior and reduced reverse leakage compared with some other junctions.
由于肖特基接触会形成势垒，该器件表现出整流特性，并且与某些其他结相比具有更低的反向泄漏。
“Schottky”来自德国物理学家Walter H. Schottky（瓦尔特·H·肖特基）的姓氏，他在电子器件与发射理论等领域有重要贡献；“contact”在半导体语境中指器件中不同材料之间用于载流子注入/抽取的“接触”。合起来，“Schottky contact”即以肖特基相关势垒特性为核心概念的金属—半导体接触。
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